等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)是借助于放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。
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HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE |
HTF1200-5/20-4M-LV-PE |
HTF1200-6/40-2M-HV-PE |
HTF1200-8/40-4M-HV-PE |
设计温度(℃) |
1200 |
1200 |
1200 |
1200 |
控温精度(℃) |
±1 |
±1 |
±1 |
±1 |
加热区直径(mm) |
25 |
50 |
60 |
80 |
加热区长度(mm) |
200 |
200 |
400 |
400 |
加热管长度(mm) |
450 |
450 |
1000 |
1000 |
恒温区长度(mm) |
80 |
80 |
150 |
150 |
额定电压(V) |
220 |
220 |
220 |
220 |
额定功率(KVA) |
1.2 |
1.2 |
3 |
3 |
射频电源功率(W) |
5~300 |
5~300 |
5~500 |
5~500 |
真空机组 |
HTF-101 |
HTF-101 |
HTF-104 |
HTF-104 |
供气系统 |
HTF-2F |
HTF-4F |
HTF-2M |
HTF-4M |
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