ITO(氧化铟锡)是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。ITO靶材性能的重要指标是成分、相结构和密度，ITO溅射靶材的成分为In2O3+SnO2，氧化铟与氧化锡成分配比通常为90:10(质量比)，在ITO靶材的生产过程中必须严格控制化学氧含量及杂质含量，以确保靶材纯度。ITO靶材制备流程ITO靶材的成型工艺制备出成分均匀、致密度较高的初坯，对经过低温热脱脂和烧结后工艺处理得...

氧化铟锡(ITO)晶体结构氧化铟锡(ITO)是通过用锡掺杂In2O3而形成的n型半导体，晶体结构是In2O3结构，其中In2O3结构具有两种形态，一种是立方铁锰矿结构，另一种是六方刚玉结构。立方铁锰矿结构是常见的In2O3结构，如图1所示。当将氧化锡掺杂到氧化铟中以形成氧化铟锡固溶体时，一种高度简并的n型半导体得以产生，其中一定数量的In3+位置被Sn4+取代了，导致ITO晶格中出现大量点缺陷，同时产生大量自由电子，点缺陷和自由电子可充当电场下的载流子，因此表现出了优异的导电...

真空烧结炉是一款特别适合硬质合金行业的性能智能化电炉。该烧结炉是一种间歇式气体（真空）保护炉，按照烧结工艺时间的需要可以单套电源配置多台电炉，分别对单个炉子进行通电升温和段电降温，实现连续工作。那么该设备在日常中应该如何检修？出现故障后又应该如何进行有效的处理？下面请跟随皓越一起来学习吧！真空烧结炉的日常检修：1、对有气镇功能的其空泵，应在每日开炉前检查并根据需耍开启30min，以排除泵油中的水分。2、经常检查冷却水、压缩空气、液压系统的压力以及冷却水的流动情况。3、对炉门的...

透明导电氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一种在可见光光谱范围（380nm＜λ＜780nm）透过率很高且电阻率较低的薄膜材料，由于其良好的光电性能在节能玻璃、热窗、电磁屏蔽窗、触摸屏、液晶面板、太阳能电池、发光二极管等领域，被作为智能窗口材料、加热导体、电磁屏蔽材料、薄膜电容材料、透明导电电极等而得到广泛的应用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相应的复合多元化合物半导体材料。电子工业的飞速发展对透明导电...

真空烧结炉是一种瓷坯在真空条件下烧结的方法，氧化物陶瓷坯体的气孔中含有的水蒸气、氢、氧等气体在烧结过程中借溶解、扩散沿着坯体晶界或通过晶粒可从气孔中逸出。但其中的一氧化碳、二氧化碳，特别是氮，由于溶解度较低，不易从气孔中逸出，致使制品内含有气孔，致密度下降。如将坯体在真空条件下烧结，则所有气体在坯体尚未*烧结前就会从气孔中逸出，使制品不含气孔，从而提高制品的致密度。在高温和一定的真空度下，使具有一定形状的陶瓷坯体经物理化学过程变为致密、坚硬、体积稳定、具有一定性能的烧结体。物...

近30年来，复合装甲中一般采用金属与非金属组成的多层结构，由外层装甲钢和背板装甲组成集体，非金属材料（陶瓷、增强纤维）充填其中。常见的陶瓷材料有氧化铝、碳化硅、氧化锆、碳化硼等，增强纤维有玻璃纤维、碳纤维和芳纶纤维等。下面以碳化硼复合靶板为例，介绍下其制备及抗弹测试过程。复合靶板结构及封装复合装甲陶瓷靶板示意图靶板从左到右依次为铝合金面板、4层玻纤布、铝合金边框及陶瓷片、2层玻纤布、铝合金背板、45号钢基板。采用铝合金边框对陶瓷块进行二维约束，再将玻纤布平铺在陶瓷层的正面和背...

气压烧结炉主要供企业在高气压保护气氛条件下对EC陶瓷（如碳化硅、氧化锆、氧化铝、氮化硅等）及金属材料（如硬质合金）等进行热等静压烧结处理，同时也适用大专院校、科研单位进行中试批量生产用。适用于氮化硅陶瓷球、陶瓷刀具等材料在高压氮气或氩气气氛内进行烧结。有利于增加材料的烧结密度，提高材料的机械性能。气压烧结炉的结构说明：气压炉是由电炉加热系统、水冷系统、真空系统、充气及气压控制系统、电气控制系统及工作平台等组成。电炉结构：电炉体采用双层水冷结构，保持炉壳温度不超过60℃，内部有...

碳化硼是一种新型非氧化陶瓷材料，因其具有熔点高、硬度高、密度低、热稳定性好，抗化学侵蚀能力强和中子吸收能力强等特点而被广泛应用于能源、军事、核能以及防弹领域。碳化硼又称黑钻石，是仅次于金刚石和立方氮化硼的第三硬材料，故成为超硬材料家族中的重要成员。目前碳化硼防弹材料主要通过烧结法制备，不过碳化硼是共价键很强的陶瓷材料，共价键占90%以上，而且碳化硼的塑性差，品界移动阻力很大，固态时表面张力很小，从而决定了碳化硼是一种极难烧结的陶瓷材料。纯碳化硼在烧结过程中通常存在烧结温度高、...